IBM annonce de futurs processeurs à

7 nanomètres

Voici le processeur gravé à 7 nanomètres qu’IBM a conçu avec ses partenaires (université d’État de New York, Samsung et GlobalFoundries). Une telle puce pourrait contenir jusqu’à 20 milliards de transistors et offrir une puissance 50 % supérieure à celle des processeurs actuels gravés en 10 nm. © IBM Research

IBM Research a réussi à repousser les limites physiques pour la gravure des processeurs en atteignant une finesse de 7 nanomètres (nm). À titre de comparaison, le diamètre d’un brin d’ADNest de 2,5 nm et selon Big Blue, il serait possible de fabriquer des puces contenant 20 milliards de transistors ! En performances et en puissance, le gain serait d’environ 50 % par rapport à la dernière génération de processeurs qui sont gravés à 10 nm. Ce succès s’inscrit dans le cadre d’un programme de recherche et développement qu’IBM Research a lancé l’année dernière.

Doté d’un budget de 3 milliards de dollars, il vise, d’une part, à repousser les limites physiques de la technologie sur silicium et, d’autre part, à trouver des alternatives à ce matériau en explorant d’autres possibilités : les nanotubes de carbone, le graphène, la photonique, l’informatique quantique, les puces neurosynaptiques ou les transistors à effet de champ à grille isolée (Mosfet).

Voici à quoi ressemblent des transistors de 7 nanomètres. Pour obtenir une telle finesse de gravure, IBM a eu recours à la lithographie en extrême ultraviolet (EUV) dont la longueur d’onde est comprise entre 10 et 15 nm. © IBM Research

Du germanium-silicium pour augmenter la mobilité

des électrons

Pour développer ce procédé de gravure à 7 nm, IBM Research a travaillé conjointement avec leCollege of Nanoscale Science and Engineering de l’université d’État de New York, Samsung et le fondeur GlobalFoundries. La technique repose sur deux innovations clé. Il y a tout d’abord le remplacement du silicium par un alliage de silicium-germanium (GeSi) pour la fabrication du canal des transistors de type FinFET. Sous le seuil des 10 nm, la conductivité du silicium n’est pas suffisante. L’adjonction du germanium a permis d’augmenter la mobilité des électrons et d’obtenir une circulation adéquate du courant électrique. En démontrant que cette solution est techniquement viable, IBM et ses partenaires ont tracé un chemin que d’autres acteurs de l’industrie des semiconducteurs pourraient suivre, à commencer par Intel.

La deuxième innovation importante introduite avec ce processeur concerne le procédé de gravure. Il s’agit de la lithographie en extrême ultraviolet (EUV) dont la longueur d’onde est très petite, comprise entre 10 et 15 nanomètres. Actuellement, la lithographie la plus performante pour la gravure des puces sur silicium en 14 nm est celle utilisant un laser à fluorure d’argon (ArF) dont la longueur d’onde est de 193 nm.

Si le passage à la lithographie EUV s’avère prometteur pour de la gravure à moins de 10 nm, sa mise en œuvre au sein d’un processus de fabrication industrielle est délicate et coûteuse. Le temps d’exposition durant la gravure EUV est plus élevé et il n’est pas certain que cela soit compatible avec une fabrication à haute vitesse. En effet, la plus infime vibration peut fausser la précision des systèmes optiques qui dirigent le rayon pour graver des lignes à une échelle proche de celle de l’atome. De lourds investissements seront nécessaires pour concevoir des lignes de production à même d’utiliser cette technologie.

IBM ne s’est pas avancé sur une date pour une mise en production de processeurs gravés à 7 nm. Le fondeur TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) a, lui, annoncé qu’il comptait entamer des essais de production courant 2017. Intel travaille également sur le 7 nanomètres, mais n’a pas indiqué de date pour l’arrivée de cette génération de processeurs. Les puces qui sont actuellement commercialisées sont gravées en 14 nm et les modèles en 10 nm arriveront courant 2016. Ce qui laisse penser que les processeurs 7 nm n’arriveront pas au plus tôt avant deux à trois ans.